三星推出全新32Gb DDR5 DRAM 功耗降低容量更高 出全同时与16Gb DRAM模块相比

​三星电子今日宣布推出其最新的星推新32Gb DDR5 DRAM，提供业界最高的出全单颗DRAM芯片容量。

三星电子今日宣布推出其最新的功耗更高32Gb DDR5 DRAM，这款DRAM依旧采用了三星12纳米工艺技术，降低它不仅能提供业界最高的容量单颗DRAM芯片容量，还在相同封装尺寸下实现了双倍于16Gb DDR5 DRAM的星推新容量。这一创新使得无需使用硅通孔（TSV）工艺即可生产128GB DRAM模块，出全同时与16Gb DRAM模块相比，功耗更高功耗降低了约10%。降低

三星电子的容量DRAM产品与技术执行副总裁SangJoon Hwang表示：“凭借我们的12纳米级 32Gb DRAM，我们获得了一种能够实现高达1TB DRAM模块的星推新解决方案，使我们能够满足人工智能时代对大容量DRAM不断增长的出全需求。我们将继续通过差异化的功耗更高工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的降低界限。”

以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，容量三星计划继续扩大其高容量DRAM产品阵容，以满足计算和IT行业当前和未来的需求。三星将通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级32Gb DRAM，重申其在下一代DRAM市场的领导地位。该产品还将在三星与其他主要行业参与者的持续合作中发挥重要作用。

(责任编辑：综合)