三星宣布已完成全球首款32Gb(4GB) DDR5内存芯片开发 继续采用12nm级别工艺制造

　　近期，星宣三星电子宣布已完成全球首款32Gb(4GB) DDR5内存芯片的布已开发。该芯片是完成迄今业界密度最高的，可依此研发1TB容量的全球内存条。此前5月份，首款三星刚刚开始量产16Gb(2GB)容量的存芯DDR5内存芯片，频率高达7200MT/s。片开

　　最新的32Gb DDR5内存芯片，继续采用12nm级别工艺制造，布已相比三星1983年推出的完成4Kb容量的第一款内存产品，容量已经增加了50多万倍！全球

　　不过，首款三星并未披露具体频率。存芯

　　此前的片开128GB DDR5内存条，必须使用TSV硅穿孔技术，星宣堆叠多颗芯片才能达成，而现在有了单颗64Gb，就不需要TSV堆叠了，从而将功耗降低大约10％。

　　只需要8颗这样的芯片，就能达成单条32GB容量。

　　更进一步，使用8-Hi 3DS堆叠技术将8颗32Gb芯片整合在一起，然后在一条内存上安装32颗，就能达成单条1TB容量！

　　有了它，AMD EPYC 9004这样支持12通道内存的服务器平台上，就可以实现单路系统12TB内存。

　　三星计划在今年底量产32Gb DDR5内存芯片。